余金中，男，1943年8月生，湖北鄂州人。现任 中国科学院半导体研究所 学术委员、研究生院研究员，博士生导师。兼任 浙江大学 、 山东大学 、 厦门大学 、 北京工业大学 、 华侨大学 和 河北大学 兼职教授，《半导体光电子》、《飞通光电子技术》杂志编委。美国国际光子工程协会(SPIE)、 中国光学学会 会员和 中国电子学会 高级会员。
人物经历
余金中，1960年毕业于 湖北省大冶市第一中学 ，1965年 中国科学技术大学物理系 毕业，1967年半导体研究所研究生毕业，师从 王守武 院士。1982－1983、1987、1990-1991年留学 日本理化学研究所 和 大阪大学 ，师从难波进教授，获大阪大学工学博士学位。1992和2001年作为访问学者在美国 硅谷 和 斯图加特大学 工作和讲学。
中国科学院半导体所研究员、 中国科学院大学 博士生导师余金中在这40年中，从一名普通的研究人员成为一名研究员、一名教授，除了从事他热爱的科研工作，他还走上讲台，在教学岗位上勤恳地耕耘了20余年。
人物简介
余金中长期从事半导体光电子学研究，目前着重研究硅基光电子集成、硅基光波导器件和SiGe/Si异质结和器件的生长、制备和特性表征。主要学术业绩为：
一、首先在国内实现了短波长激光器的长寿命工作，促进了我国光通信的起步发展。主持长波长激光器实用化研发，成功地转化为高技术产品。
二、开展低能量无损伤干法刻蚀研究，创新采用低能量大离子束流，实现了无损伤高速率刻蚀，为低阈值长寿命半导体激光器的研制奠定了重要基础。
三、1996年至今致力于硅基光电子学研究，合作设计加工出高水平的UHV/CVD系统，指导研究生外延出高质量SiGe/Si量子结构和器件，相关结果已被国外多次进行报道，并多次在国际会议上作邀请报告。
四、在国内率先主持开展SOI光波导研究，成功做出MMI耦合器和MZI热光型和电光型光开关，响应速度快，为国际先进水平。
先后获 中国科学院 重大项目 二等奖 、科技进步二等奖和两次国家科技进步二等奖。1992年起享受国务院颁发的政府特殊津贴，2001年获中国科学院 华为 优秀研究生导师奖。发表论文150多篇，SCI和EI收录分别为55篇和43篇，被他人SCI引用60次，著作和译著各一本。培养硕士生3名、博士生15名。
主要项目
国家基金委重大项目“光子集成基础研究" 课题"IV族基能带工程材料和器件应用研究”（1998-2002）
国家基金委重大项目"WDM全光网基础研究"，课题"WDM全光网关键器件及基础材料研究"（1999-2003）
科技部973项目"支撑高速、大容量信息网络系统的光子集成基础研究" 课题"OXC关键集成器件及增益非线性与噪声 动力学 "（2001-2005）
科技部863项目"通信用光电子材料、器件与集成技术" 课题"硅基高速 波导股份 光开关及其集成技术" （2002-2005）
代表性论著
余金中，《半导体光电子技术》，2003， 北京 ：化工出版社。
YU Jinzhong , Wei Hongzhen, Yan Qingfeng, Xia Jinsong, Zhang Xiaofeng, “Integrated MMIoptical couplers and optical switches in 硅 on-insulator techlonogy”, J. of The Graduatte School of The Chinese Acadamy of Sciences, 2003，20（1）：1-4.
余金中， 严清峰 ， 夏金松 ， 王小龙 ， 王启明 ，“SOI光电子集成”，功能材料和器件学报，2003，9（1）：1-7.
Jinzhong Yu, Changjun Huang, Buwen Cheng , Yuhua 左姓 , Liping Luo and Qiming Wang，Type-II SiGe/Si MQWs (multi-quantum Wells) and Self-Organized Ge/Si Islands Grown by UHV/ CVD System，International J. Modern Phys. ，2002，16(28&29): 4228-4233
Erich Kasper 主编，余金中译，王杏华，王莉，夏永伟校，《 硅锗的性质 》，2002年9月第1版， 北京 ： 国防工业出版社 。
Yu Jinzhong , Yu Zhou , Cheng Buwen , Li Daizhong , Lei Zhenlin , Wang Qiming，GeSi/Si heterostructures grown by a home-made UHV/CVD，Science Foundation In CHINA，1999，7（7）: 40-43
J. Z. Yu, N. Masui, Y. Yuba, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi, K. Gamo, and S. Namba，Induced defects in GaAs etched by low 能量 ions in electron beam excited 等离子体 (EBEP) system，Jpn. APPL Phys.，1989，28(11): 2391-2395
J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, T. Yoshinaga, Y. Aoyagi and S. Namba，High-rate ion etching of GaAs and Si at low ion 能量 by using an electron beam excited 等离子体 system，J. Vac. Sci. & Techno l.，1988，B6(6): 1626-1631
J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi and S. Namba，Damageless ion etching by high current low energy ion beam，Application of Ion Beams in Materials Science，1987: 271-276
J. Z. Yu, Y. Aoyagi, S. Iwai, K. Toyada and S. Namba，Ano dic oxidation of AlGaAs，J. Appl. Phys.，1985，56(6):1895-1896