王守武 （1919年3月15日—2014年7月30日），男，江苏苏州人， 中国共产党党员 ， 半导体器件 物理学家， 微电子 学家， 中国科学院院士 。
王守武1941年2月从 同济大学 机电系毕业。 1946年获 普渡大学 硕士学位。 1949年2月获 美国普渡大学 博士学位。 1956年受聘为 清华大学 无线电 系第一任半导体教研室主任。 1960年任 中国科学院半导体研究所 副所长。 1962年11月任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员。 1980年当选为 中国科学院 学部 委员（院士） 。1980年2月任109厂厂长职务。 1987年起任 中国科学院半导体研究所 正研究员。 2014年7月30日因病逝世，享年95岁。
王守武是中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一。 主持研制成功了中国第一只 砷化镓 半导体激光器 ；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模 集成电路 ；组织筹建了中国第一个半导体研究室和全国半导体测试中心。 出版了《半导体器件研究与发展-第一册》《VDMOS场效应晶体管应用手册》等4部著作。 研究成果先后获 中国科学院 科研成果奖 一等奖 2项，中国科学院科技进步奖 二等奖 4项，以及中国科学院发明 三等奖 、 全国科技大会 奖、半导体研究所 科技成果奖 三等奖等奖项各1项。 先后获评 全国劳动模范 、 何梁何利基金奖 等荣誉。
人物经历
早期与学业经历
1919年3月15日，王守武出生于 苏州市 。 1923年，4岁的王守武随父来 上海市 ，少年时期基本在 苏州 、上海两地生活读书。 1925年进入上海铁华小学读二年级。 1927年转学上海私立民智中小学； 同年起王家开始安装电灯，在家中用灯泡做“实验”，在父亲的指导下了解“电”与“灯”的基本常识，以及 保险丝 的作用。
1930年，王守武在上海私立民智中小学读小学六年级； 同年秋，在民智中小学升入初中一年级。 1931年转学入上海侨光中学。 1932年进入上海青年中学 高中 。 1934年转学进入苏州省立苏州中学。
1935年，王守武在 江苏省苏州中学校 校刊上发表“ 圆周率 π的 级数 展开”；同年秋，从苏州中学 普通高中 肄业，进入 同济大学 读预科。 1936年回 苏州市 参加中学会考，获得中学毕业文凭；同年进入 同济大学 工学院机电系学习。 1937年升入同济大学机电系二年级。 后日本帝国主义全面发动 侵华战争 ；1937年10月，到金华同济大学临时校址报到。 1938年被迫随同济大学迁往 赣州市 。 1939年与同济大学的师生一起先集中到 龙州县 ，再到 凭祥市 ，出 镇南关 （今友谊关），绕道 越南 ，至1939年 春节 前到达 昆明市 。
1941年2月，王守武在昆明从 同济大学 机电系毕业； 同年到昆明中央机器厂工作。 1942年进入 中国 工合 翻砂 实验工厂任工务部主任。 1943年年初，辞去工务部主任职务，转回母校 同济大学 任教。 1944年在重庆考取自费留学生，被 美国麻省理工学院 录取，但因肺病回昆明家中调养，留学被延误。 1945年8月，被 普渡大学 录取；同年10月，王守武前往 美国 ，进入 普渡大学 工程力学系师从斯特姆攻读硕士研究生。 1946年获 普渡大学 硕士学位。 后师从 詹姆斯 攻读 博士研究生 ，1949年2月获美国普渡大学博士学位并留校任教。
工作经历
1950年，王守武回到中国；年底，受聘于中国科学院应用物理研究所，同时受聘于 华北大学工学院 （现 北京理工大学 ），期间为 抗美援朝战争 前线的志愿军设计特殊的车灯和路标。 1951年为 西藏自治区 地区设计 太阳灶 ；同年开始 氧化亚铜 半导体 整流器 的研究。 1952年组织应用物理所 电学 组开展了 半导体整流器 的实验研制工作，绕制了烧 铜氧化物 整流器的电炉，并设计配制了利用 电子管 的 温度控制器 ，并用各种不同大小及纯度的铜片试制氧化铜整流器，同时开始开展 pbs 整流器研究。 1955年领导应用物理所电学组制作硫化铅 光敏电阻 ，得到比较稳定而又相当灵敏的光敏电阻。 1956年受聘为 清华大学 无线电 系第一任半导体教研室主任，亲自授课，并组织领导了 锗单晶 材料的制备工作。 1957年，设计并指导制作中国第一台拉制半导体 锗材料 的 单晶炉 ，并于11月领导应用物理所半导体研究室，成功拉制出中国第一根 锗单晶 ，领导半导体研究室研制成功了中国第一批锗合金结晶体管，并掌握了锗单晶中的掺杂技术。 1959年，领导109厂为研制109乙型 计算机 的 计算技术研究所 ，提供了12个品种、14.5万余只锗高频合金扩散 晶体管 ，完成该机所需的 半导体器件 的生产任务，为“ 两弹一星 ”任务提供了技术保证。
1960年4月起，担任 中国科学院物理研究所 半导体研究所筹委会副主任；同年任 中国科学院半导体研究所 副所长； 6月，应用物理所 有机半导体 研究无果而终，这一年，王守武还加入了 中国共产党 。 1961年提出“用触针下分布 电阻 的光电导衰退来测量半导体中少数 载流子 的寿命”的方法；同年，随 中国科学院 代表团赴 英国 进行考察。 1962年11月，王守武任中国科学院半导体研究所学术委员会主任委员；组织开展了 硅 提纯 设备和 单晶炉 的设计、 晶体管 制造工艺中新技术所用设备的设计。 1963年11月，随中国学术代表团赴 日本 访问。 1965年和刘 东源县 开展 微波 、光谱及基础 电子 理论的研究。 1966年8月，156工程的第一台样机研制成功。 1968年12月，在“清理阶级队伍”运动中被隔离审查。1969年3月隔离审查结束。
1973年9月，率 中国电子 器件考察团赴日本考察。 1974年与赵礼庆、金才政共同研制成功单路及三路半导体 激光 通信机。 1975年研究人员在实验中偶然发现了Gunn器件畴 雪崩 弛豫振荡现象，王守武开始开展这方面研究。 1978年10月，受命负责4千位MOS动态随机存储器这一大规模 集成电路 的研制任务。 1979年9月28日，研制成功大规模集成电路4千位MOS动态随机存储器，批量成品率达20%，最高达40%，为当时中国国内最高水平；同年10月起，开始领导16千位MOS动态随机存储器的研制及PNPN负阻激光器的研制工作。
1980年2月，兼任109厂厂长职务，主要从事提高大规模集成电路成品率的工作；同年当选为 中国科学院 学部 委员（院士） 。 1983年领导集成电路用清洗机的研制；通过 计算机 的模拟计算，分析了静止畴的存在与转变条件，计算得到的畴的静止-渡越--静止-畴 雪崩 过程，并很快被实验所证实。 1987年起任 中国科学院半导体研究所 正研究员。 1991年4月，随 中国科学院 代表团赴 苏联 进行考察；1992年4月，赴美国进行考察。 2000年获 何梁何利基金奖 。
人物逝世
2014年7月30日，王守武因癌症医治无效在美国逝世，享年95岁。
主要成果
王守武主持研制成功了中国第一只 化镓 半导体激光器 ；主持研制成功4千位、16千位的DRAM大规模 集成电路 ，在研究与开发中国 半导体材料 、 半导体器件 及大规模集成电路方面做出了重要贡献。
半导体激光器研制
1954年，王守武了解到新一代 电子器件- 半导体晶体管已在国外广泛应用，并预见到这一划时代的变革将会引起 电子技术 的一次新的革命，他组织领导了 锗单晶 材料制备的研究工作，一面抓锗材料的 提纯 ，一面亲自设计制造了中国第一台制备半导体锗材料的 单晶炉 ，并于1957年底拉制成功了中国第一根 锗单晶 ，后研制成功了 锗晶体 二极管 和锗合金结晶体管。 美国 于1962年用 砷化镓 半导体材料 制成了第一只 激光器 ，王守武便组织力量展开研究，并于1963年组建了 半导体激光器 研究室。先后领导并参与了中国第一台 半导体 激光 器 的研制，实现了半导体激光器的连续激射，并开展半导体负阻激光器以及激光应用的研究工作，为中国在该领域的技术进步奠定了基础。还亲自指导参与了 激光 通信机和 激光测距仪 的研制工作，支援了国防现代化和国民经济建设。
大规模集成电路研制
1978年10月，王守武承担了研制大规模集成电路——4000位MOS随机存储器的工作，顺利在面积不足4×4平方毫米的单元 硅片 上，制作出由1.1万多个 晶体管 、 电阻 、 电容 等元件构成的 电子电路 。在团队努力下，大规模集成电路样品的成品率提高到了20%~40%，是当时中国国内大规模集成电路研制中的最高水平。 此外，还研制成功了4千位、16千位的DRAM大规模集成电路。
主要论文与著作
主要论文
王守武共发表学术论文40余篇，以下为部分论文。
出版著作
据 中国国家图书馆 显示，王守武先后出版了《半导体器件研究与发展-第一册》《VDMOS场效应晶体管应用手册》等4部著作。
社会职务
荣誉与获奖
个人荣誉
科研获奖
王守武的研究成果先后获 中国科学院 科研成果奖 一等奖 2项，中国科学院科技进步奖 二等奖 4项，以及中国科学院发明 三等奖 、 全国科技大会 奖、半导体研究所 科技成果奖 三等奖等奖项各1项。
人才培养
王守武非常重视科研梯队的培养，曾在 清华大学 、 北京大学 、 中国科学技术大学 、 复旦大学 等多所高校任教招收的第一个研究生是洪坚，代表性学生有 中国科学院 博士生导师 余金中 。
影响与后世纪念
《王守武传》
《王守武传》由 中国科学技术出版社 于2015年1月出版，作者是 李艳平 ，康静，尹晓冬，该 传记 通过访谈、实物采集、录音录像等方法，全面真实地反映了王守武学术成长历程的关键事件、重要节点、师承关系等内容。
王守武院士100周年诞辰纪念会系列活动
王守武院士100周年诞辰纪念会系列活动由 中国科学院大学 微电子学院于2019年3月27日举办。
人物评价
长春中国光学科学技术馆 表示：“王守武院士把发展中国半导体科学事业视为己任，兢兢业业为之奋斗了一生。他为人忠厚，待人谦和。他远见卓识，以国家的需要为出发点，开拓新领域，取得新成果。他的为人和他的科学成果一样，赢得了人们的爱戴和敬重，值得我们去敬仰。”
何梁何利基金奖 表示：“王守武为人忠厚、谦和，作风民主，他一贯勤奋好学，治学严谨，一丝不苟，且富于创新精神。”
全景科学家表示：“王守武在几十年的科研生涯中，以爱国求实、勇于创新、甘为人梯的实际行动，生动诠释了科学家精神，为后辈科技工作者树立了光辉榜样。”
海南大学 材料科学与工程学院表示：“王老先生（王守武）一生忠厚为人，治学严谨。”