氮化 （Tantalum mononitride）是一种化工材料，分子式为TaN，分子量为194.95。用来制造精确片状 电阻 的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。在制造 集成电路 的过程中，这些膜沉积在硅晶片的顶部，以形成薄膜表面贴装电阻。
物化性质
ε氮化钽为黑色六方结晶。相对密度为13.4， 熔点 为3090℃，显微硬度为1100kg/mm²，热导率为9.54W/(m·K)， 电阻率 为128μΩ·cm。
δ氮化钽为黄绿色结晶，属 氯化钠 型结晶，相对密度为15.6。晶格 常数 为a=0.4336nm，c=0.4150nm。熔点为2950℃，显微硬度为3200kg/mm，转化点温度为17.8K。
不溶于水、酸，微溶于 王水 ，溶于 氢氧化钾 并分解释放出氨，加热至2000℃即释放出 氮气 。
贮存
1、通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。
2、常温常压下稳定避免的物料 氧化物 。
3、常温密闭，阴凉通风干燥处。
合成
1、将金属钽粉用氮气或氨气在1100℃左右直接氮化制得；
2、以金属钽和氮气为原料制备氮化钽，反应式如下：2Ta+N2=2TaN。
用途
1、用来制造精确片状 电阻 的材料，氮化钽电阻则可抵抗水汽的侵蚀。
2、用作超硬质材料添加剂，可制备纯的 五氯化钽 ：用于喷涂，增加变压器、集成线路、 二极管 的电稳定性。
毒理学数据
主要的刺激性影响：
在皮肤上面：可能引起发炎
在眼睛上面：可能引起发炎
致敏作用：没有已知的敏化现象
生态学数据
通常对水是不危害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。
计算化学数据
1、疏水参数计算参考值（XlogP）：无
2、 氢键 供体数量：0
3、氢键受体数量：1
4、可旋转化学键数量：0
5、互变异构体数量：无
6、拓扑分子极性表面积：23.8
7、重原子数量：2
8、表面电荷：0
9、复杂度：10
10、 同位素 原子数量：0
11、确定原子立构中心数量：0
12、不确定原子立构中心数量：0
13、确定 化学键 立构中心数量：0
14、不确定化学键立构中心数量：0
15、 共价键 单元数量：1